CMP

La CMP combine des actions chimiques et mécaniques destinées à lisser et à aplanir la surface des wafers. La CMP se situe également entre la gravure chimique et le polissage mécanique. Elle est surtout importante pour les wafers multicouches, dont la surface est toujours plus irrégulière. La technologie CMP permet d’éliminer les irrégularités microscopiques de 0,3 nm et d’obtenir ainsi une surface irréprochable, ce qui facilite ensuite l’impression des circuits intégrés durant le processus de lithographie.

≤ 200 mm

Technologie CMP haute performance pour la production de gros volumes de wafers d’un diamètre max. de 200 mm. Avec le chargeur de wafers (Wafer Loader), l’ensemble constitue une unité entièrement automatique.

 ChaMP 211/232

≤ 300 mm

Compacte, modulaire et fiable. Pour les wafers d’un diamètre max. de 300 mm devant présenter une excellente finition de surface. Outre un chargeur de wafers (Wafer Loader), une unité de nettoyage (Cleaning Unit) peut également être intégrée pour un nettoyage approfondi.

 ChaMP 311/332