CMP

Nel CMP vengono combinati effetti chimici e meccanici allo scopo di lisciare e rendere piatta la superficie del wafer. Il CMP è anche un incrocio tra il trattamento con acido e la levigatura meccanica. Il CMP è importante soprattutto nel caso dei wafer costituiti da numerosi strati diversi. Infatti, in presenza di molti strati la superficie diventa sempre più irregolare. Grazie alla tecnologia CMP è possibile eliminare irregolarità microscopiche di fino a 0,3 nm. Inoltre, una superficie perfetta agevola enormemente la stampa dei circuiti integrati nel successivo processo di litografia.

≤ 200 mm

Tecnologia CMP ad alto rendimento per la produzione in volumi elevati di wafer di 200 mm di diametro. Con il montaggio del caricatore di wafer, diventa un’unità completamente automatica.

 ChaMP 211/232

≤ 300 mm

Compatto, modulare e affidabile. Per wafer di 300 mm con superficie della massima qualità. Oltre al caricatore di wafer è possibile integrare anche una cleaning unit per una pulizia precisa.

 ChaMP 311/332