CMP

Chemicko-mechanická planarizace (CMP), často nazývaná chemicko-mechanické leštění, je metoda pro povrchové vyrovnávání tenkých desek. CMP byla původně vyvinuta pro použití s typickými polovodičovými materiály, ale stále více se používá i při výrobě mikročipů. Nezbytná je CMP pro low-K materiály, jejichž povrch sestává z kompozitního materiálu, a tedy například ze dvou složek. Kvůli rozdílné tvrdosti a elektrickým vlastnostem těchto dvou materiálů by čistě mechanické zpracování vedlo ke kazům v jejich přechodech.

≤ 200 mm

Vysoce výkonná technologie CMP pro velkooobjemovou výrobu waferů o průměru 200 mm. Při osazení společně s kazetovým zásobníkem tvoří plně automatickou jednotku.

 ChaMP 211/232

≤ 300 mm

Kompaktní, modulární, spolehlivé. Pro wafery o průměru 300 mm s nejvyšší výstupní povrchovou kvalitou. Vedle kazetového zásobníku lze integrovat také čisticí jednotku pro precizní dočištění.

 ChaMP 311/332